Личный кабинет

Дипломная работаНефтегазовое дело

Готовая работа №135854 от пользователя Успенская Ирина

Квантово-химический расчет взаимодействия газообразных мышьяка и фосфора с подложкой из GaAs в процессе эпитаксиального роста из газовой фазы.

Name: Квантово-химический расчет взаимодействия газообразных мышьяка и фосфора с подложкой из GaAs в процессе эпитаксиального роста из газовой фазы.
Price: 2100.00 RUB

2 100 ₽

Файл с работой можно будет скачать в личном кабинете после покупки

Страниц: 84

Год написания: 2025

Успенская Ирина

Сообщить о нарушении авторских прав

Гарантия безопасной покупки

Уникальность текста выше 50%

Возможность снять с продажи

Не подходит эта работа?

Укажите тему работы или свой e-mail, мы отправим подборку похожих работ

содержание

Оглавление 2
Список используемых сокращений и обозначений 4
1. Литературный обзор 5
1.1. Введение 5
1.2. Метод металлоорганической газофазной эпитаксии 6
1.3. Технологии роста эпитаксиальных структур 7
1.3.1. Жидкофазная эпитаксия 10
1.3.2. Газофазная эпитаксия 12
1.3.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия 13
1.3.4. МОС-гидридная эпитаксия 16
1.3.5. Новые технологии роста эпитаксиальных слоев 19
1.3.5.1. Химическая лучевая эпитаксия. 19
1.3.5.2. Атомно-слоевое осаждение 19
1.3.5.3. Миграционно-усилительная эпитаксия. 20
1.4. Технологические параметры метода МОСГЭ 21
1.4.1. Особенности МОСГЭ. 25
1.4.2. Основные параметры МОСГЭ. 25
1.4.3. Преимущества и недостатки МОСГЭ. 26
1.5. Термодинамика процесса МОС-гидридной эпитаксии 26
1.6. Методы контроля процесса МОСГЭ 29
1.6.1. Спектроскопия разностного отражения 31
1.6.2. Спектроскопия поверхностного фотонапряжения 33
1.6.3. Глубокоуровневая переходная спектроскопия 34
1.6.4. Дифракция рентгеновских лучей 35
1.6.5. Фотолюминесцентная спектроскопия 36
1.7. Строение приборов МОСГЭ 37
1.8. Материалы-источники для МОСГЭ. 38
1.9. InAsxP(1-x) 40
1.9.1. Свойства InAsxP(1-x) 40
1.9.2. Области применения InAsxP(1-x) 43
1.9.3. Особенности роста InAsxP(1-x) в условиях метода МОСГЭ. 44
1.10. GaAsxP(1-x) 46
1.10.1. Свойства GaAsxP(1-x) 46
1.10.2. Области применения GaAsxP(1-x) 48
1.10.3. Электронные устройства 49
1.10.4. Оптоэлектронные устройства 49
1.11. InxGa(1-x)AsyP(1-y) 51
1.11.1. Свойства InxGa(1-x)AsyP(1-y) 51
1.11.2. Особенности роста InxGa(1-x)AsyP(1-y) в условиях метода МОСГЭ 56
1.12. Адсорбция и десорбция фосфора и мышьяка на поверхности GaAs. 58
1.13. Квантово-химические методы расчета. 61
2.Методическая часть 74
2.1. Описание модели 75
Список использованной литературы 77

Весь текст будет доступен после покупки

Показать еще текст

ВВЕДЕНИЕ

1. Литературный обзор
1.1. Введение
В настоящее время для создания приборов высокочастотной электроники и оптоэлектроники широко используются структуры, содержащие субмикронные и нано- слои полупроводников, таких как монокристаллический кремний, арсенид галлия, а также другие полупроводники типа АIIIBV и AIIBVI. Одним из ключевых и массовых направлений применения данных гетероструктур является создание лазерных излучателей, применяемых в качестве мощных источников накачки в твердотельных лазерах. Одними из наиболее широко применяемых материалов, использующихся для создания приборов на их основе, являются трехкомпонентные твердые растворы InAsxP(1-x), GaAsxP(1-x) и четвертичный твердый раствор InyGa1-yAsxP1-x.
При этом возникает новая задача, которую необходимо решать, а именно, точное предсказание и технологическое обеспечение заданных излучательных характеристик гетероструктур в условиях промышленного метода получения – метода МОС-гидридной эпитаксии. Возможный способ получения эпитаксиальных структур необходимых параметров –– экспериментальный. Этот способ является более удобным и практичным, но более дорогостоящим, так как требует проведения большого количества экспериментов. Вторым и приоритетным способом является математическое моделирование технологического процесса с использованием фундаментальных физико-химических законов с учетом особенностей метода МОСГЭ, который позволяет изучить физико-химическую сущность механизмов формирования твердого раствора. Соответственно, определение зависимостей состава указанного твердого раствора от параметров роста целесообразно осуществлять вторым способом.

Весь текст будет доступен после покупки

Показать еще текст

отрывок из работы

Весь текст будет доступен после покупки

Показать еще текст

Список литературы

1. Manasevit H.M. Single-crystal gallium arsenide on insulating substrates //Appl Phys Lett – 1968. – 12. – 156.
2. Manasevit H.M. The Use of Metalorganics in the Preparation of Semiconductor Materials IV . The Nitrides of Aluminum and Gallium / Erdmann FM, Simpson WI.// J Electrochem Soc. – 1971. – 118. –1864.
3. Manasevit H.M. The use of metalorganics in the preparation of semiconductor materials: Growth on insulating substrates / J Cryst Growth. – 1972. –13-14 – 306––314.
4. Stringfellow G.B. Organometallic vapor-phase epitaxy: theory and practice./G.B. Stringfellow – Boston: Academic Press, 1999.
5. Kisker D.W. Handbook of crystal growth. / D.W. Kisker, T.F. Kuech. – Amsterdam: Elsevier; 1994.
6. Dawson L.R. Liquid phase epitaxy / Prog Solid State Chem. – 1972. – 7. ¬117––39.
7. Panish M.B. Phase equilibria in ternary III– V systems. / Ilegems M. // Prog Solid State Chem. – 1972. – 7. – 39––83.
8. Акчурин Р.Х. МОС-гидридная эпитаксия: современное состояние и основные тенденции развития. // Материалы электронной техники. – 1999.– 2. – 4––12.
9. Stringfellow G. B. Epitaxy. / Reports on Progress in Physics – 1982. – 45. – 469.
10. Razeghi M. The MOCVD Challenge: A survey of GaInAsP-InP and GaInAsP-GaAs for photonic and electronic device applications. / M.Razeghi. – Northwestern University Illinois, USA, 2011. – 5––160.

Весь текст будет доступен после покупки

Показать еще текст

Купить и скачать работу

Квантово-химический расчет взаимодействия газообразных мышьяка и фосфора с подложкой из GaAs в процессе эпитаксиального роста из газовой фазы.

Почему студенты выбирают наш сервис?

Работаем круглосуточно

24 часа в сутки

7 дней в неделю

Гарантия

Возврат средств в случае проблем с купленной готовой работой

Мы лидеры

LeWork является лидером по количеству опубликованных материалов для студентов

не подошла эта работа?

В нашей базе 78761 курсовых работ – поможем найти подходящую

Ответы на часто задаваемые вопросы

Как оплатить заказ?

Чтобы оплатить заказ на сайте, необходимо сначала пополнить баланс на этой странице - https://lework.net/addbalance

На странице пополнения баланса у вас будет возможность выбрать способ оплаты - банковская карта, электронный кошелек или другой способ.

После пополнения баланса на сайте, необходимо перейти на страницу заказа и завершить покупку, нажав соответствующую кнопку.

Если у вас возникли проблемы при пополнении баланса на сайте или остались вопросы по оплате заказа, напишите нам на support@lework.net. Мы обязательно вам поможем!

Есть ли услуга безопасной покупки, и какой срок гарантии?

Да, покупка готовой работы на сайте происходит через "безопасную сделку". Покупатель и Продавец финансово защищены от недобросовестных пользователей. Гарантийный срок составляет 7 дней со дня покупки готовой работы. В течение этого времени покупатель имеет право подать жалобу на странице готовой работы, если купленная работа не соответствует описанию на сайте. Рассмотрение жалобы занимает от 3 до 5 рабочих дней.

Что означает возможность снять с продажи готовую работу ?

У покупателя есть возможность снять готовую работу с продажи на сайте. Например, если необходимо скрыть страницу с работой от третьих лиц на определенный срок. Тариф можно выбрать на странице готовой работы после покупки.

Как вернуть средства за некачественную работу?

Гарантийный срок составляет 7 дней со дня покупки готовой работы. В течение этого времени покупатель имеет право подать жалобу на странице готовой работы, если купленная работа не соответствует описанию на сайте. Рассмотрение жалобы занимает от 3 до 5 рабочих дней. Если администрация сайта принимает решение о возврате денежных средств, то покупатель получает уведомление в личном кабинете и на электронную почту о возврате. Средства можно потратить на покупку другой готовой работы или вывести с сайта на банковскую карту. Вывод средств можно оформить в личном кабинете, заполнив соответствущую форму.

Как связаться со службой поддержки, если возникли вопросы?

Мы с радостью ответим на ваши вопросы по электронной почте support@lework.net