Личный кабинет

Дипломная работаХимия

Готовая работа №136408 от пользователя Успенская Ирина

Фотоэлектрические свойства a-Si:H, легированного бором.

Name: Фотоэлектрические свойства a-Si:H, легированного бором.
Price: 1375.00 RUB

1 375 ₽

Файл с работой можно будет скачать в личном кабинете после покупки

Страниц: 55

Год написания: 2025

Успенская Ирина

Сообщить о нарушении авторских прав

Гарантия безопасной покупки

Уникальность текста выше 50%

Возможность снять с продажи

Не подходит эта работа?

Укажите тему работы или свой e-mail, мы отправим подборку похожих работ

содержание

ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………………..3
ГЛАВА I. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ a-Si:H, ЛЕГИРОВАННОГО БОРОМ....8
1.1. Определение концентрации оборванных связей с помощью спектра коэффициента поглощения…………………………………8
1.2. Зависимость величины фотопроводимости a-Si:H от уровня легирования бором …………………….………………..…………..11
1.3. Уравнение электронейтральности для a-Si:H p-типа ..……….….13
1.4. Объяснение слабой зависимости величины фотопроводимости
от положения уровня Ферми……………………………………....18
ГЛАВА II. ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ИССЛЕДОВАННЫХ ПЛЁНОК a-
2.1. Первая температурная область ……………………………….......26
2.2. Вторая температурная область …………………………...............28
2.3. Третья температурная область…………………………………….30
2.4. Зависимость величины фотопроводимости от интенсивности возбуждающего света……………………………………………….34
2.5. Влияние предварительного освещения на температурные зависимости фотопроводимости a-Si:H, легированного бором…..39
ЗАКЛЮЧЕНИЕ………………………….………………………………………52
ЛИТЕРАТУРА…………………………………………………………………...54

Весь текст будет доступен после покупки

Показать еще текст

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Первая солнечная батарея на основе аморфного гидрированного кремния (a-Si :Н) была создана в 1974 году, а сообщения о возможности легирования a-Si:Н появились через год, после чего сильно возрос интерес к этому материалу. Исследования плёнок a-Si:Н показали, что они обладают возможностью эффективного легирования, большим коэффициентом поглощения и высокой фоточувствительностью. Возможность направленного изменения свойств a-Si :Н и относительная дешевизна этого материала обеспечили его широкое использование в солнечной энергетике и оптоэлектронике. Однако, несмотря на многочисленные исследования свойств a-Si:Н в настоящее время остаётся много вопросов в понимании физических процессов, связанных с транспортом и рекомбинацией носителей, ролью дефектов и т.д. Трудности исследований свойств a-Si:Н обусловлены прежде всего высокой чувствительностью параметров этого материала к условиям его получения. Это приводит к разбросу и противоречивости результатов, полученных в разных лабораториях, и затрудняет выяснение основных закономерностей в поведении физических параметров.

Весь текст будет доступен после покупки

Показать еще текст

отрывок из работы

ГЛАВА I. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ a-Si:Н,
ЛЕГИРОВАННОГО БОРОМ.
Определение концентрации ОС с помощью спектров
поглощения ?(hv).
Одной из важных характеристик пленок а-Si:Н является концентрация дефектов. Основными дефектами в а-Si:Н, наряду с состояниями в хвостах валентной зоны и зоны проводимости, являются оборванные связи (ОС или D-центры). При этом D-центры дают основной вклад в поглощение при hv =1.0-1.5 эВ ("дефектное поглощение") [1]. Нами были получены спектры ?(hv) исследуемых образцов методом СРМ (рис.1.1). Эти спектры показывают, что легирование приводит к увеличению поглощения (в основном в области "дефектного поглощения"). Это означает, что легирование приводит к росту ОС. В пределах ошибки метода СРМ можно считать, что концентрация D-центров пропорциональна коэффициенту поглощения при hv=1.2 эВ (строго говоря, концентрация N_D пропорциональна интегралу от коэффициента поглощения по "дефектной" области). Поэтому зависимость ?(hv=1.2 эВ) от положения уровня Ферми (рис.1.2) фактически представляет собой зависимость N_D от E_F-E_v. Таким образом, можно оценить относительную концентрацию дефектов, приняв за единицу измерения концентрацию дефектов, например, в образце №1 (k =3x10^(-7)). С помощью рис.1.2 мы получаем, что N_D (№5): N_D (№4): N_D (№3) : N_D (№2) : N_D (№1) = 37:17:10:2:1.

Весь текст будет доступен после покупки

Показать еще текст

Список литературы

1. J.D. Cohen, J.P.Harbison, K.W. Wecht. Identification of the dangling-bond state within the mobility gap of a-Si:H by depletion-width-modulated ESR spectroscopy. Phys. Rev. Lett., 48, 109-112 (1982).
2. A.G. Kazanskii and S.V. Kuznetsov. Statistical shift of the Fermi-level position in p-type hydrogenated amorphous silicon. Phys. Status Solidi (b), 167, K39,(1991).
3. Spear W.E., Loveland R.J., Al-Sharbaty A. The temperature dependence of photoconductivity in a-Si. J. Non-Cryst. Solids,1974, v.15, N3, p.410-422.
4. Powell M.J., Easton B.C., Nicholls D.H. The effect of annealing and illumination on the field effect conductance of amorphous silicon. J. de Physique, C-4, Suppl. 10, 1981, 42, p.379-382.
5. Tanaka K., Okushi H. Defect states and carrier processes in a-Si:H. J. Non-Cryst. Solids, 66,N1&2, 205-208 (1984).
6. A.G. Kazanskii, and S.V. Kuznetsov. Temperature dependence of the photoconductiveity in p-type a-Si:H. Phys. Status Solidi (b), 168 , K19, (1991).
7. Fritzsche Н. Density of states distribution in the mobility gap of a-Si:H. -J. Non-Cryst. Solids, 1985, v.77&78, p.273-280.

Весь текст будет доступен после покупки

Показать еще текст

Купить и скачать работу

Фотоэлектрические свойства a-Si:H, легированного бором.

Почему студенты выбирают наш сервис?

Работаем круглосуточно

24 часа в сутки

7 дней в неделю

Гарантия

Возврат средств в случае проблем с купленной готовой работой

Мы лидеры

LeWork является лидером по количеству опубликованных материалов для студентов

не подошла эта работа?

В нашей базе 78761 курсовых работ – поможем найти подходящую

Ответы на часто задаваемые вопросы

Как оплатить заказ?

Чтобы оплатить заказ на сайте, необходимо сначала пополнить баланс на этой странице - https://lework.net/addbalance

На странице пополнения баланса у вас будет возможность выбрать способ оплаты - банковская карта, электронный кошелек или другой способ.

После пополнения баланса на сайте, необходимо перейти на страницу заказа и завершить покупку, нажав соответствующую кнопку.

Если у вас возникли проблемы при пополнении баланса на сайте или остались вопросы по оплате заказа, напишите нам на support@lework.net. Мы обязательно вам поможем!

Есть ли услуга безопасной покупки, и какой срок гарантии?

Да, покупка готовой работы на сайте происходит через "безопасную сделку". Покупатель и Продавец финансово защищены от недобросовестных пользователей. Гарантийный срок составляет 7 дней со дня покупки готовой работы. В течение этого времени покупатель имеет право подать жалобу на странице готовой работы, если купленная работа не соответствует описанию на сайте. Рассмотрение жалобы занимает от 3 до 5 рабочих дней.

Что означает возможность снять с продажи готовую работу ?

У покупателя есть возможность снять готовую работу с продажи на сайте. Например, если необходимо скрыть страницу с работой от третьих лиц на определенный срок. Тариф можно выбрать на странице готовой работы после покупки.

Как вернуть средства за некачественную работу?

Гарантийный срок составляет 7 дней со дня покупки готовой работы. В течение этого времени покупатель имеет право подать жалобу на странице готовой работы, если купленная работа не соответствует описанию на сайте. Рассмотрение жалобы занимает от 3 до 5 рабочих дней. Если администрация сайта принимает решение о возврате денежных средств, то покупатель получает уведомление в личном кабинете и на электронную почту о возврате. Средства можно потратить на покупку другой готовой работы или вывести с сайта на банковскую карту. Вывод средств можно оформить в личном кабинете, заполнив соответствущую форму.

Как связаться со службой поддержки, если возникли вопросы?

Мы с радостью ответим на ваши вопросы по электронной почте support@lework.net