Разработка и изучение катодного узла с гравитационным прижимом для установки. Вакуумно-плазменого травления.

ВВЕДЕНИЕ 4
Глава 1. Вакуумно-плазменное травление в производстве МЭ и оборудование для его реализации 7
1.1. Методы плазменного травления 8
1.2 Анализ современного оборудования для вакуумно-плазменного травления 20
1.3 Анализ катодного узла с гравитационным прижимом 34
1.4 Выводы по первой главе. 38
Глава 2. Разработка и исследование катодного узла для установки вакуумно-плазменного травления 40
2.1 Анализ и постановка задачи 41
2.2 Основные проблемы 43
2.3 Разработка 46
2.4 Проведение экспериментальных расчетов обработка и анализ результатов. 57
2.5 Возможности дальнейшей модернизации 63
2.6 Выводы по второй главе 63
Глава 3. Научная ценность и возможность патентирования 64
3.1 Оценка научной новизны 65
3.2 Патентирование разработки. 66
3.3 Выводы по третьей главе 74
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 75
Список использованных источников 76

Весь текст будет доступен после покупки

Актуальность темы
Технология сухого или плазменного травления в настоящее время относится к основным методам обработки при производстве изделий микроэлектроники (МЭ), микросистемной техники. В частности, она используется в полупроводниковых технологиях изготовления интегральных схем (ИС), БИС, СБИС. Производство микроструктур с размерами менее 1 мкм ставит перед их создателями новые задачи, которые возможно решать только при использовании современного автоматизированного оборудования. На первое место выходят требования по снижению дефектности в обрабатываемых структурах ИС, обеспечению воспроизводимости результатов.
В технологиях плазменного травления возрастают требования по повышению селективности процесса травления при обеспечении высокой скорости травления пластин большого диаметра, Эти требования являются противоречивыми: повышению селективности способствует использование направленной ионной бомбардировки, но высокоэнергетическая ионная бомбардировка приводит к дефектам в обрабатываемых структурах.

Весь текст будет доступен после покупки

Глава 1
Вакуумно-плазменное травление в производстве изделий электронной техники

1.1. Технологические особенности вакуумно-плазменного травления в производстве изделий электронной техники.
Разработка автоматического оборудования для производства современных изделий микроэлектроники возможна только при условии создания эффективных исполнительных устройств, выполняющих тот или иной технологический процесс. В технологии формирования топологии интегральных схем это относится, прежде всего, к реакторам плазмохимического травления (ПХТ), выполняющим значительное число различных технологических операций.
B настоящее время основные производители СБИС используют технологии с проектными нормами менее 1мкм (0.12-0,8мкм). Совершенствование реакторных систем и технологии ПХТ следует из усложнения конструкции и возрастания плотности размещения приборов. В последние годы заметно уменьшение разрыва между практическим применением плазмохимических процессов и их теоретическим экспериментальным исследованием.
Анализ состояния современных исследований позволил целенаправленно вести разработку новых типов реакторных систем и технологических процессов ПХТ. Но из-за отсутствия полного количественного описания процессов ПХТ материалов разработка реакторных систем и технологических процессов практически всегда осуществляется опытным путем.
По физико-химическому способу взаимодействия частиц низкотемпературной газовой плазмы (НГП) с поверхностью обрабатываемого материала (образца) процессы травления можно разделить на три группы:
1. Ионное травление (ИТ), при котором поверхностные слои удаляются исключительно в результате физического распыления. Распыление осуществляется энергетическими ионами инертных газов. Под энергетическими ионами и атомами понимаются частицы с энергией 0,1 - 2,0 кэВ. Если поверхность обрабатываемого материала находится в контакте с плазмой, то травление называется ионно-плазменным (ИПТ). Если поверхность образца не контактирует с плазмой, которая используется только как источник ионов, осуществляющих травление, то травление называют ионно-лучевым (ИЛТ).
2. Плазмохимическое травление (ПХТ) - травление, при котором поверхностные слои материалов удаляются в результате химических реакций с образованием летучих продуктов. Если поверхность обрабатываемого материала находится в контакте с плазмой, то травление называют плазменным (ПТ). При ПТ химические реакции стимулируются низкоэнергетическими электронной и ионной бомбардировками, а также воздействием излучения. Если поверхность образца не контактирует с плазмой, которая используется только как источник ХАЧ, то такое травление называют радикальным травлением (РТ). РТ осуществляется спонтанно без стимуляции электронной и ионной бомбардировками, а в ряде случаев и при отсутствии воздействия излучения.

Весь текст будет доступен после покупки

1) Плазменная технология в производстве СБИС: Перевод с англ. С сокращениями. / Под редакцией Н. Айнспрука, Д. Брауна. - М.: Мир, 1987
2) Киреев В. Ю., Данилин Б. С., Кузнецов В. И. Плазмохимическое и ионно-
химическое травление микроструктур. -М.: Радио и связь, 1983.
3) Распыление твёрдых тел ионной бомбардировкой / Под ред. Р. Бериша:
перевод с англ. -М.: Мир, 1984.
4) Е.Берлин, С.Двинин, Н.Морозовский, Л.Сейдман. «Реактивное ионно-
плазменное травление и осаждение. Установка "Каролина 15" / Журнал
«ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес», N 8/2005
5) X. Уонг. Основные формулы и данные по теплообмену для инженеров:
перевод с англ./ Под редакцией В.В. Яковлева, В.И. Колядина - Москва,
Атомиздат, 1979
6) Chris M. Horowitz. Electrostatic Chuck - thermal transport. Electrogrip, 1997
7) Амиров И.И., Изюмов М.О., Морозов О.В., Кальнов В.А., Орликовский А.А., Валиев К.А. Микросистемная техника, 2004, N 12, c. 15-18.
8) Анизотропное плазмохимическое травление глубоких канавок в Кремнии СУБ-100 нм ширины через электронорезистную маску / С. Н. Аверкин, Е. Н. Жихарев, В. Ф. Лукичев [и др.] // Интеграл. – 2013. – № 3. – С. 12-15. – EDN RKOBOD.
9) В. А. Галперин, Е. В. Данилкин, А. И. Мочалов; под ред. С. П. Тимошенкова. — М. / Процессы плазменного травления в микро- и нанотехнологиях: учебное пособие: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. — 283 с.: ил. — (Нанотехнологии). — ISBN 978-5-9963-0032-7.

Весь текст будет доступен после покупки