ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ЭЛЕКТРОТОПОГРАФИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА

Введение……………………………………………………………………...……3
1 Библиографический обзор по электролюминесцентной визуализации материалов и изделий фотоники.………...………………………………………7
2 Сравнение результатов реализации ЭТГ эффекта на люминофорах и галогенсеребряных фотоматериалов…………………………………..…...…. 54
2.1 Физико-математическое моделирование распределения напряженности электрических полей в плоском конденсаторе с галогенсеребряными фотоматериалами и электролюминофорами.………….……………....………54
2.2 Экспериментальная проверка результатов моделирования…………………………………………………………………..62
Заключение……………………………………..…………………………..….…72
Список использованных источников…..……………………….………………73

Весь текст будет доступен после покупки

Актуальность темы. Возможность формирования наночастиц металлов с помощью электрического поля была впервые обнаружена в 1970 году авторами [1, 2] на галогенсеребряных (AgHal) фотоматериалах (Институт физики АН УССР, г. Киев) и получила название “элетротопографический эффект” (ЭТГЭ). Его сущность заключается в электрополевой коалесценции атомов серебра, формирующих НЧ и их агломераты определенных размеров [40, 42, 66]. Одноименный эффект, на котором основан ЭТГ-метод, получил свое название благодаря способности выявлять малейшие изменения топографии электрополевой неоднородности, что открыло перспективы его применения в неразрушающей дефектоскопии материалов и изделий микро- и оптоэлектроники. Тогда же был предложен возможный механизм ЭТГЭ и разработан ряд устройств («Электротопографов»), с успехом использованных на орбитальной станции «Салют-7» при выполнении ряда исследований по динамике деградации модельных и конструкционных материалов под действием физических факторов космического пространства. Открытие данного эффекта легло в основу процессов дефектоскопии и в настоящий момент, процессы, описываемые данным эффектом, активно применяются во многих областях науки и промышленности. Кроме того, авторами открытия предлагалось использовать в качестве регистрирующих сред, не только AgHal-материалы, но и электреты, а также электролюминофры [2]. Вместе с тем реализация ЭТГЭ на последних не была так широко исследована, как на AgHal-материалах. Поэтому в настоящей работе ставилась цель: провести физико-математическое моделирование процессов распределения электрических полей на примере AgHal-фотослоев и электролюминесцентных сред с экспериментальной проверкой результатов моделирования.
Для её достижения предполагается решение следующих задач:
1 Провести библиографический обзор по теме исследования и на его основе определить основные параметры и условия реализации ЭТГЭ на AgHal-фотоматериалах и электролюминофорах;
2 На его основе разработать физико-математическую модель распределения напряженности электрического поля в электролюминесцентном конденсаторе и с помощью его технической реализации сравнить результаты моделирования ЭТГЭ на примере электролюминофора ЭЛС-455 и галогенсеребряных фотоматериалах.
Объектом исследования в данной диссертации является процесс формирования электрополевых изображений на электролюминофорах и AgHal-фотоматериалах.
Предметом исследования в данной диссертации является физико-математическое моделирование процессов распределения напряженности электрического поля в условиях реализации ЭТГЭ.
В рамках поставленных задач тема была разработана в соответствии с поставленным заданием в полном объеме.
Положения, выносимые на защиту:
1 Физико-математическая модель процессов распределения напряженности электрического поля в электролюминесцентном конденсаторе в условиях реализации ЭТГЭ;
2 Утверждение различий механизмов формирования ЭПИ на ZnS-электролюминофорах и AgHal-фотоматериалах условиях реализации ЭТГЭ.
Теоретическая и практическая значимость исследований состоит в возможности применения разработанной физико-математической модели и методики электрополевой визуализации для решения следующих задач:
- оценке напряженности электрического поля в системе многослойного электрического конденсатора при высоковольтном воздействии;
- выявление сред, обладающих высокой чувствительностью к электрическому полю и способных к визуализации его градиента.
Полученные в данной работе результаты тесно связаны с научно-исследовательской работой, проводимой на кафедре оптоэлектроники КубГУ в соответствие с тематикой её планов.
Апробация материалов диссертации. По результатам работы опубликована статья «Электрополевая визуализация на рентгеновских фотоматериалах с истекшим сроком годности» в сборник научных трудов 8-ой международная конференция по фотонике и информационной оптике – Москва. – 2019. – С. 669-670
Структура работы. Диссертационная работа состоит из введения, двух глав, заключения, списка использованных источников и приложения.

Весь текст будет доступен после покупки

1 Библиографический обзор по электролюминесцентной визуализации материалов и изделий фотоники

В самом начале для объяснения ЭТГ-эффекта привлекалась теория фотографического процесса, построенная на основах термодинамики [4]. По результатам своих предположений, авторами был сделан вывод о подтверждении этого эффекта. Именно поэтому, основываясь на светочувствительности Чибисова о присутствии в микрокристаллах галоидного серебра центров первого и второго порядка – т.е. центров проявления (центров скрытого изображения). [5], была разобрана термическая устойчивость с указанием на неполное соответствие в название «термодинамическая теория» [6]. Термоассоциаяция кластеров серебра, включающих в себя не только образование агрегатов более крупных размеров, но и распад уже возникших центров скрытого изображения (ЦСИ) путем отщепления от них отдельных атомов или малоатомных кластеров Ag, позволила авторам приблизить процесс испытаний к каплям жидкости, которая в своё время находится в контакте с паром – именно исходя из этого, авторы дали название процессу «коалесцентный» [6]. Ключевая роль в нём, была уделена ловушкам, в которых локализовались фотоэлектроны. Это обосновывается механизмов передвижения в неоднородном электрическом поле: поляризованные атомы Ag и/или их малоатомные кластеры, преодолевая диполь-дипольное отталкивание и устремляясь в сторону наибольшего электрополевого градиента, где и образуют в итоге устойчивый Ag-агрегат или ЦСИ. В результате своих рассуждений, авторами был сделан вывод, что принципиальные отличия между способами создания такого поля отсутствуют, и как следствие нет собой разницы, будет ли оно создано локализованным электроном или каким-либо внешним источником [6]. Но внимание стоит обратить на такие параметры как время, степени неоднородности и напряженность поля, расстояние [6].

Весь текст будет доступен после покупки

1. Электрографический контроль микродефектности диэлектрических слоев [Текст] / А. Е. Кравцов, И. Г. Кизема, А. И. Карплюк [и др.] // Электронная техника. – 1973. – Сер. 8. – Вып. 6 (16). – С. 150–153.
2. Электротопографический эффект в фотоэмульсиях и его применение [Текст] / А. Е. Кравцов, В. А. Пипа, М. А. Резников [и др.] // Труды ФИАН. – 1981. – Т. 129. – С. 13–65.
3 Гречко, Г. М. Современные достижения космонавтики [Текст] / Г. М. Гречко // Серия Космонавтика, астрономия. – Сб. статей. – Москва: Знание, 1983. – № 12. – С. 3–32.
4. Галашин, Е. А. Термодинамическая теория фотографического процесса. IV. О детальном механизме образования скрытого изображения [Текст] / Е. А. Галашин, М. В. Фок // Журнал научной и прикладной фотографии и кинематографии. – 1972. – Т. 17. – № 5. – С. 359–366.
5. Electron microscope studies of photographic process and nature of photographic sensitivity / E. P. Senchenkov, E. A. Galashin, Yu. V. Fedorov [et. al.] // Signal AM. – 1982. – Vol. 10, № 1. – P. 3–15.
6. Резников, М. А. Устойчивость серебряных кластеров на поверхности галогенида серебра [Текст] / М. А. Резников, М. В. Фок // Успехи научной фотографии. – 1986. – Т. 24. – С. 143–157.
7. Кравцов, А. Е. Применение фотоэмульсионных слоев для электротопографической дефектоскопии [Текст] / А. Е. Кравцов // Тезисы докладов конференции «Предельные свойства фотографических регистрирующих сред» – Черноголовка: ИХФ АН СССР, 1979. – С. 45–46.
8. Электротопографический метод исследования пористости тонких пленок [Текст] / А. Е. Кравцов, М. А. Резников, А. И. Карплюк [и др.] // Получение и свойства тонких пленок: Сборник материалов. – Вып. 2. – Киев: ИПМ АН УССР, 1974. – С. 64–66.
9. Резников, М. А. Сопоставление электротопограмм с результатами измерений пробивных напряжений оксидных пленок [Текст] / // Электронная техника. – 1975. – Сер. 8. – Вып. 5(35). – С. 67–70.
10. Резников, М. А. Электротопографический контроль закороток диэлектрической изоляции в кремниевых структурах [Текст] / М. А. Резников, А. Е. Кравцов, В. К. Клесов // Микроэлектроника. – 1983. – Т. 22. – № 4. –
С. 334–341.
11. А. с. 763767 СССР Способ контроля дефектов / А. Е. Кравцов, В. В. Пермяков, М. А. Резников (СССР) - № 2703221/18-25; заявл. 26.12.78; опубл. 15.09.80 Бюл. – № 34. – 2 с.
12. А. с. 360599 СССР .Способ контроля дефектов слоев материалов / А. Е. Кравцов, М. А. Резников (СССР) - № 1631439/26-25 ; заявл. 01.03.71; опубл. 28.11.72, Бюл. № 36. – 2 с.
13. А. с. 890213 СССР, MKИ3 G01N 27/22 Устройство для контроля неоднородностей слоев материалов: / А. Е. Кравцов, В. В. Пермяков, М. А. Резников (СССР) – № 2913122/18-25; заявл. 15.04.80; опубл. 15.12.81, Бюл. № 46. – 3 с.
14. Исследование качества электролюминесцентных панелей методом электротопографического контроля [Текст] / А. Е. Кравцов, М. А. Резников, С. З. Низник [и др.] // Ученые записки Тартурского ГУ. – 1976. – Вып. 379. – С. 122–131.
15. Горлов, М. И. Современные диагностические методы контроля качества и надежности полупроводниковых изделий [Текст] / М. И. Горлов, В. А. Сергеев. – Ульяновск: УлГТУ, 2015. – 406 с.
16. Резников, М. А. Электротопографическая чувствительность термопластического слоя [Текст] / М. А. Резников, В. В. Пермяков, Л. Н. Федорова // Тезисы докладов III Всесоюзной конференции по бессеребряным и необычным фотографическим процессам. – Вильнюс: МВ и ССО ЛитССР, 1980. – С. 146–148.
17. Резников, М. А. Физическая природа электротопорафического эффекта в фотографических эмульсиях [Текст]: автореферат диссертации на соискание научной степени кандидата физико-математических наук: 01.04.07 / Резников Михаил Абрамович. – Киев: ИФ АН УССР, 1981. – 22 с.
18. Мейкляр, П. В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения [Текст] / П. В. Мейкляр. – Москва: Наука, 1972. – 400 с.
19. Латышев, А. Н. От научной фотографии к физике наночастиц [Текст] / А. Н. Латышев, О. В. Овчинников // Вестник ВГУ, серия, физика, математика. – 2013. – № 1. – С. 63–93.
20. Рыжонков, Д. И. Наноматериалы: учебное пособие [Текст] / Д. И. Рыжонков, В. В. Левина, Э. Л. Дзидзигури. – Москва: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. – 365 с.
21. Шишканов, О. Н. Физико-математическая модель электротопографического эффекта на галогенсеребряных фотоматериалах [Текст] / О. Н. Шишканов, А. П. Бойченко // Сборник материалов V Международной научно-практической конференции «Достижения вузовской науки». – Новосибирск: ЦРНС, 2013. – С. 119–124.
22. Шишканов, О. Н. Кинетическая модель коалесценции атомов серебра в микрокристаллах его галогенидов под действием электрического поля [Текст] / О. Н. Шишканов, А. П. Бойченко // Фундаментальные исследования. – 2014. – № 8. – Ч. 3. – С. 607–613.
23. Электрические свойства полимеров [Текст] / Под ред. Б. И. Сажина. – Ленинград: Химия, 1977. – 192 с.
24. Electroluminescence imaging for determining the influence of metallization parameters for solar cell metal contacts / K. Drabczyk, G. Kulesza-Matlak, A. Drygala, M. Szindler, M. Lipin?ski, K. Drabczyk et al. / Solar Energy 126 (2016) 14–21
25. Photoluminescence imaging for photovoltaic applications. / Trupke, T., Mitchell, B., Weber, J.W. [et. al.] // Energy Process. – 2012. – Vol. 15. – P. 135.
26. Silicon solar cells with Al2O3 antireflection coating. / Dobrzan? ski, A., Szindler, M., Drygala [et. al.] // Central European Journal of Physics. – 2014. – Vol. 12. – №. 9. – P. 666-670.
27. Structures, properties and development trends of laser-surface-treated hot-work steels light metal alloys and polycrystalline silicon Laser surface engineering. / Dobrzanski, L.A., Tanski, T., Dobrzanska-Danikiewicz, A. [et. al.] // Processes and applications (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials) – 2015 – Vol. 65. – №3. – P. 63-65.
28. Kulesza, G., Panek, P., Ziezba, P.,. Silicon solar cells efficiency improvement by the wet chemical texturization in the HF/HNO3/ diluent solution. // Archives of Metallurgy and Materials. – 2013 58, 291–295.
29 Kulesza, G., Panek, P., Ziezba, P. Time efficient texturization of multicrystalline silicon in the HF/HNO3 solutions and its effect on optoelectronic parameters of solar cells // Archives of Civil and Mechanical Engineering. – 2014. – 14, 595–601.
30. An analysis of ZnS:Cu phosphor layer thickness influence on electroluminescence device performances/ ChansriP., ArunrungrusmiS.1, MungkungN.et al.// International journal of photoenergy.– 2017. – Vol. 1. – P. 1-4.
31. Шайтанов Д.В. Электрополевая визуализация на рентгеновских фотоматериалах с истекшим сроком годности / Бойченко А.П., Шайтанов Д.В. // 8-ая международная конференция по фотонике и информационной оптике: сборник научных трудов. – Москва. – 2019. – С. 669-670
32. Гуртов В.А., Райкерус П.А., Сарен А.А. Зарядоперенос в структурах с диэлектрическими слоями. – Петрозаводск: ПетрГУ, 2010. – 242 с.
33. Шишканов О.Н. Электрополевая коалесценция атомов серебра, спектрально-оптические и колориметрические свойства образованных ими наночастиц металла : диссертация на соискание научной степени кандидата физико-математических наук / Шишканов О.Н. – Краснодар: 2020 – 165 с.
34. Никитин, В. А. Электростимулированная миграция ионов в интегральной оптике [Текст] / В. А. Никитин, Н. А. Яковенко. – Краснодар: КубГУ, 2003. – 154 с.
35. Кинетика свечения барьерного разряда в процессе преобразования анодированного Al2O3 / Д.В. Шайтанов, Д.С. Овеченко, А.П. Бойченко [и др.] // Фотоника и информационная оптика : IX международная конференция по фотонике и информационной оптике Сборник научных трудов (Москва, 2020). – Москва : НИЯУ МИФИ, 2020 – С. 380-381
36. Формирование нанопористой структуры металла при его обработке в барьерном разряде / Д.В. Шайтанов, А.П. Бойченко, Н.А. Яковенко [и др.] // Фотоника и информационная оптика : IX международная конференция по фотонике и информационной оптике Сборник научных трудов (Москва, 2020). – Москва : НИЯУ МИФИ, 2020 – С. 417-418
37. Инжекционная электролюминесценция в квантово-размерных структурах InGaAs/GaAs с контактом металл/полупроводник и металл/оксид/полупроводник / Дорохин М.В., Дёмина П.Б., Байдусь Н.В. и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. –2010. –№ 5. –С. 34–39.
38. Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл-квантово-размерный полупроводник In(Ga)As/GsAs на эффективность электролюминесценции / Байдусь Н.В., Демина П.Б., Дорохин М.В. и др. // Физика и техника полупроводников. –2005. –Т. 39. –№. 1.– С. 25–29.
39. Исследование свойств границы раздела ni/gaas, co/gaas в светоизлучающих диодах на основе квантово-размерных гетероструктур In(Gs)As/GaAs / Ускова Е.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н. и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. –2006. –№ 2. –С. 89–95.
40. Emelectroluminescence fromschott kydiode smadeonau-InAs/GaAs quantum-sizeheterostructures / BaidusN.V., ZvonkovB.N., MokeevaP.B. [et al.] // Semiconductor science and technology. – 2004. – Vol. 19. – P. 469-471.
41. Schmidt G. Sheath criterion and sagdeev potential for both electronegative and electropositive plasmas/Schmidt G. // Journal of applied physics. – 2005. – Vol. 38. – P. 107-111.
42. R. Fiederling. Injection and Detection of a Spin-Polarized Current in a Light-Emitting Diode/ R. Fiederling, M. Keim, G. Reuscher // Nature. –1999. – Vol. 402. –No. 6763. –P.787-790.
43. R. Buczko Effect of uniaxial stress on shallow acceptor states in silicon and germanium / R. Buczko // Nuovo Cimento. – 1987. – Vol. 9. – №. 6. – P. 669-689.
44. R. Buczko Core-hole effects on energy-loss near-edge structure./ R. Buczko, F. Bassani / /Physical Review B.–1992. –Vol .45.– P. 58-63.
45. Jagannath С. 1Linewidths of the electronic excitation spectra of donors in silicon/ C. Jagannath, Z.W. Grabowski, A.K. Ramdas // Physical review B: condensed matter – 1981.– Vol. 23. – P.2082-2098.
46. Role of barrier layers in electroluminescence from sin-based multilayer light-emitting devices / Huang R., Dong H., Wang D. et al. // Applied physics letters 2008. – Vol. 92. – №. 18. – P. 45-47.
47. А. Г. Кязымзаде Электролюминесцентные переключатели на основе монокристаллов твердых растворов GaSxSe1-x / А. Г. Кязымзаде, В. М. Салманов, В. В. Дадашова // Прикладная физика. – 2007. – № 4. – С. 119–120.
48. An analysis of ZnS:Cu phosphor layer thickness influence on electroluminescence device performances/ ChansriP., ArunrungrusmiS.1, MungkungN.et al.// International journal of photoenergy.– 2017. – Vol. 1. – P. 1-4.
49. M. Schadt. Field-effect liquid-crystal displays and liquidcrystal materials: key technologies of the 1990s Displays/ M. Schadt // Annual Review of Materials Research – 1992. –Vol. –13. – №. 1.– P. 11-34.
50. Light emitting efficiencies in organic light emitting diodes (OLEDs) / S. T. Lim, J. H. Moon, J. I. Won [et al.] // Studies in Interface Science. – 2001. –Vol. 11. – P. 185-193.
51. C. W. Tang. Organic electroluminescent diodes /C. W. Tang, S. A. // Vanslyke Applied Physics Letters. – 1987. – Vol. 51. – No. 12.P. 913-915.
52. A. J. Bard. Electrogenerated Chemiluminescence / A. J. Bard, Marcel Dekker. – New York. – 2004.
53. P. Chansri. Synthesis and characterization of TiO2 on ZnO-nanorod layer for high-efficiency electrochemiluminescence cell application /P. Chansri, Y. M. Sung // Japanese Journal of Applied Physics. – 2016. – Vol. 55. – No. – 2S.
54. High-efficiency blue electroluminescence based on coumarin derivative 3-(4-(anthracen-10-yl)phenyl)-benzo coumarin / H. Zhang, H. Chai, T. Yu et al. // Journal of Fluorescence.– 2012. –Vol. 22. –4P. 1509–1512.
55. S. T. Henderson. Electroluminescence / S. T. Henderson // British Journal of Applied Physics. – 1958. –Vol. 9.–No. 2.–P. 45–51.
56. H. Ivey. Electroluminescence and semiconductor lasers / H. Ivey // Journal of Quantum Electronics.–1966. –Vol. 2. –No. 11, –P. 713– 726.
57. U. Mitschke. The electroluminescence of organic materials /U. Mitschke, P. Bauerle // Journal of Materials Chemistry.–2000.–Vol. 10.–P. 1471–1507.
58. Electroluminescence from light-emitting polymer/ZnO nanoparticle heterojunctions at sub-bandgap voltages / L. Qian, Y. Zheng, K. R. Choudhury et al. // Nano Today.–2010. –Vol. 5–No. 5.–P. 384–389.
59. Enhanced luminescence related to transparent conductive oxide in ZnSbased EL device fabricated by screen printing method / P. K. Shon, J. H. Shin, G. C. Kim et al.// Journal of Luminescence. – 2012. – Vol. 132. – No. 7.– P. 1764–1767.
60. Boonyaroonate I. Half-bridge inverter using hysteresis current control for electroluminescent lamp / I. Boonyaroonate, S. Mori // International Conference on Electrical and Electronic Technology. – 2001. – Vol. 54. – P. 796-798.
61. S. Jones Electroluminescence in oxide phosphors / S. Jones// Journal of Electrochemistry Society. – 1964. – Vol. 111. – No. 3. – P. 307–311.
62. C. ChunkulFlyback. DC/ AC inverter for large electroluminescent lamp / C. Chunkul, S. Arunrungrusmi, P. Chansri// International Conference on Applied Electrical and Mechanical Engineering. – 2015. – Vol. 39. – P. 273–275.
63. P. Chamsri. A class D ZVS DC/AC inverter for large electroluminescent lamp / P. Chamsri, S. Y. Sung // Annual Spring Conference. – 2015. – Vol. 63. – P. 175-181.
64. A.V. Aladov. Thermal resistanse and non-uniform distribution of electroluminescence and temperature in high-power algainn light-emitting diodesk. / A.V. Aladov A. Bulashevich, A.E. Chernyakov // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наук. – 2015 – Vol . 2 – P. 74-83
65. Carey J. New LED architectures and phosphor technologies lower costs and boost quality// LEDs Magazin. 2014. Vol. 72, September. P. 67–71.
66. High performance thin-film flip-chip InGaNGaN light-emitting diodes / Shchekin O.B., Epler J.E., Trottier T.A., [et al.] // Applied Physics Letters. 2006. Vol. 89. P. 071109.
67. Szekely V. A new evaluation method of thermal transient measurement results // Microelectronic Journal. 1997. Vol. 28. Pp. 277–292.
68. Poppe A. Thermal Characterization Confirms Real-World LED Performance.URL: http:// s3.mentor.com/public_documents/whitepaper/ resources/ mentorpaper_59097.pdf (дата обращения: 13.12.2021)
69. Тепловизионный микроскоп / Базовкин В.М., Гусев А.А., Ковчавцев А.П. [и др.] // Прикладная физика. – 2005. – T. 2. – C. 97-102.
70. Исследование тепловых процессов в мощных InGaN/GaN флип-чип светодиодах с использованием инфракрасной тепловизионной микроскопии / Закгей А.Л., Мизеров М.Н., Половинкин В.Г. [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2010. – T. 44. – Вып. 3. – С. 390–396.
71. Coupled modeling of current spreading, thermal effects and light extraction in III-nitride light-emitting diodes / Bogdanov M.V., Bulashevich K.A., Evstratov I.Y. [et al.] // Semiconductor Science and Technology. – 2008. – Vol. 23. No. 1. – P. 10 –12.
72. SimuLED – engineering tool for LED and laser diode design and optimization URL: http:// www.str-soft.com/products/SimuLED/index.htm. (дата обращения: 17.12.2021)
73. A. P. Baraban. Luminescence of insulator layers on silicon excited by electrons / A. P. Baraban, V. A. Dmitriev // Saint-Petersburg:Physics of Complex Systems. – 2021. – Vol. 2. – No. 1. – P. 9-14.
74. Babaran, A. P. Changes in the state of Si-SiO2 structures studied by the method of field cycling in a system with electrolytic contacts. / Babaran, A. P., Bulavinov, V. V., Troshikhin, A. G. // Technical Physics Letters. 1993 – Vol. 19 – №. 9 – P. 577–578.
75. Baraban, A. P. Features of SiO2 layers synthesized on silicon by molecular layer deposition. / Baraban, A. P., Denisov, E. A., Dmitriev, V. A // Semiconductors, – 2020 – Vol. 54. – №. 4. – P. 506–510.
76. Coenen, T. Cathodoluminescence for the 21st century: Learning more from light // Applied Physics Reviews. – 2017 – Vol. 4. – №. 3 – P. 45-48
77. Drouin, D. CASINO a powerful simulation tool for cathodoluminescence applications // Microscopy and Microanalysis. 2006 – Vol. 12 – P. 1512–1513.
78. Cathodoluminescence of TiO2 films formed by molecular layer deposition. / Baraban, A. P., Selivanov, A. A., Dmitriev, V. A. // Technical Physics Letters. – 2019 – Vol. 45. – №. 3 – P. 256–258.
79. Электротопографический эффект в фотоэмульсиях и его применение / А. Е. Кравцов, В. А. Пипа, М. А. Резников [и др.] // Труды ФИАН. – 1981. – Т. 129. – С. 13-65.
80. Шишканов, О. Н. Кинетическая модель коалесценции атомов серебра в микрокристаллах его галогенидов под действием электрического поля [Текст] / О. Н. Шишканов, А. П. Бойченко // Фундаментальные исследования. – 2014. – № 8. – Ч. 3. – С. 607–613.

Весь текст будет доступен после покупки