Разработка технологического процесса плазмохимического травления поликремниевого затвора КМОП технологии 90 нм

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ СОКРАЩЕНИЙ 4
ВВЕДЕНИЕ 5
РАЗДЕЛ 1. ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ 6
1.1 Введение 6
1.2 Виды и преимущества «сухого» травления 6
1.3 Современные требования к процессам плазменного травления 10
1.4 Источники индуктивно- и трансформаторно-связанной плазмы 12
1.5 Особенности травления антиотражающих покрытий 15
1.6 Особенности травления диэлектрических слоев 15
1.7 Проблемы формирования поликремниевого затвора 18
1.8 Заключение к разделу 1 21
РАЗДЕЛ 2. ОБЗОР ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ 22
2.1 Введение 22
2.2. Технологическое оборудование участка ПХТ 22
2.3. Описание метрологических установок 26
2.4. Аттестация установок ПХТ 28
2.5. Заключение к разделу 2 29
РАЗДЕЛ 3. РАЗРАБОТКА ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОЛИКРЕМНИЕВОГО ЗАТВОРА ТЕХНОЛОГИИ 90 НМ 30
3.1 Введение 30
3.2 Подготовка пластин для отработки процесса 30
3.3 Исследование анизотропии 36
3.1 Исследование селективности, остаточной толщины оксида кремния 57
3.5 Исследование линейных размеров 64
3.6 Заключение к разделу 3 70
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 72
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 73

Весь текст будет доступен после покупки

Микро- и наноэлектроника играет большую роль в развитии современных технологий. Практически в каждой сфере жизни микроэлектроника находит свое ключевое место: транспорт, медицина, IT-технологии.
В связи с этим в России наблюдается повышенный спрос на изготовление чипов различного назначения: хранение биометрии загранпаспортов, процессоры для персональных компьютеров отечественного производства, нужды вооруженных сил страны.
Для организации изготовления продукции микроэлектроники в России активно развивают уже существующие заводы, также открывают новые. Помимо этого, открываются новые дизайн-центры. Под развитием производства производство компонентов по технологическим нормам 90 нм и ниже независимо от международной обстановки.
На современных производствах важно разрабатывать процессы с нуля для перехода на более современные технологические нормы 90 и 65 нм. Одной из ключевых операций является формирование поликремниевого затвора без помощи зарубежных специалистов.

Весь текст будет доступен после покупки

РАЗДЕЛ 1. ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ
1.1 Введение
Современные технологии микро- и наноэлектроники играют важную роль в различных отраслях промышленности. Одним из ключевых процессов в создании микроэлектроники является плазмохимическое травление, позволяющее точно удалять или изменять свойства материалов на микро- и наноуровне.
Плазмохимическое травление требует хорошего понимания своих особенностей и параметров. Мы изучим основные принципы и механизмы этого процесса, а также обсудим факторы, влияющие на его результаты.
Для создания качественных микроэлектронных устройств необходимо изучить особенности процесса плазмохимического травления.
В этом разделе исследуются различные виды плазмохимических процессов, анализируются методы "сухого" травления, обсуждаются способы управления и оптимизации параметров травления, а также выявляются проблемы, возникающие при разработке процессов.

Весь текст будет доступен после покупки

1. А.А. Орликовский "Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике". 4.1. Реактивное ионное травление, Микроэлектроника, 1999 г., т.28, №5, с.344-362.
2. Y. Horiike, in Applications of Plasma Processes to VLSI Technology, T. Sugano, Ed., Wiley Interscience, New York, 1985, p. 138.
3. Б.С. Данилин, В.Ю. Киреев «Применение низкотемпературной плазмы
для травления и очистки материалов». М. Энергоатомиздат. 1987г., 264с
4. М. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing, Wiley, New York, 1994.
5. Г.И. Балашова, А.А. Голишников, E.H. Рыбачек, A.H. Сауров. Реактивно - ионное травление технологических слоев для создания элементов УБИС с субмикронными размерами. Третья Международная научно - техническая конференция «Электроника и информатика - 21 век», ноябрь 2000 г., стр. 28 - 29.
6. М. Naeem, V. Grewal, В. Spuler, J. Hanebeck, M. Narita, and С. Radens, Proceedings of the 11th International Symposium on Plasma Processing 96- 12,267(1996).
7. Proceedings of the High Density Plasma Symposium, 40th National Symposium of the American Vacuum Society, M. Barnes, Ed., San Francisco, 1993.
8. M. A. Lieberman and R. A. Gottscho, "Design of High Density Plasma Sources for Materials Processing," in Physics of Thin Films, M. Francombe and J. Vossen, Eds., Academic Press, Inc., New York, 1993.
9. M. Armacost, P.D. Muller, P.D. Hoh and ather "Plasma-etching processes for ULSI semiconductor circuits", IBM J.Res.Develop., Vol.43 NQ.1/2 January/March 1999, p.39-72.
10. J.T.C. LEE, "A comparison of HDP sources for polisilicon etching", Solid State Technology, August, 1996, p.63-69.
11. Галушков А.И., Голишников А.А., Путря М.Г., Рыбачек Е.Н., Чаплыгин Ю.А. "Исследование влияния плазменной обработки в скрещенных электромагнитных полях на электрофизические параметры элементов СБИС". // н-т. журнал "Известия вузов", Электроника, 1998, №1, с.43-48.
12. P. Singer «Meeting Oxide, Poly and Metal Etch Requirements». Semiconductor international, April 1993, p.50 - 54

Весь текст будет доступен после покупки