Личный кабинет

Дипломная работаРазное

Готовая работа №139576 от пользователя Жуковский Роман

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКЦИИ БАРЬЕРНОГО СЛОЯ НА СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР С ДВУМЕРНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ГАЗОМ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ

Name: ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКЦИИ БАРЬЕРНОГО СЛОЯ НА СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР С ДВУМЕРНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ГАЗОМ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
Price: 1320.00 RUB

1 320 ₽

Файл с работой можно будет скачать в личном кабинете после покупки

Страниц: 54

Год написания: 2025

Жуковский Роман

Сообщить о нарушении авторских прав

Гарантия безопасной покупки

Уникальность текста выше 50%

Возможность снять с продажи

Не подходит эта работа?

Укажите тему работы или свой e-mail, мы отправим подборку похожих работ

содержание

ОБОЗНАЧЕНИЕ СОКРАЩЕНИЙ 7
ВВЕДЕНИЕ 8
1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 10
1.1. Свойства нитридов металлов третьей группы 10
1.2. Подложки для эпитаксиального роста 15
1.3. Основные методы получения 17
1.3.1. Хлоридно-гидридная газофазная эпитаксия (HVPE) 19
1.3.2. Газофазная эпитаксия из металлорганических соединений (МОГФЭ, MOCVD) 19
1.3.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ, MBE) 20
1.4. Влияние ростовых условий на свойства материалов III-N 21
1.5. Полевые транзисторы на основе нитридных гетероструктур с двумерным электронным газом 28
1.6. Выводы 33
2. ОБОРУДОВАНИЕ И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА 35
2.1. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии нитридов III группы 35
2.2. Подготовка установки и материалов для исследования 36
2.3. Снятие параметров в ходе исследования 37
2.3.1. Дифракция быстрых электронов 37
2.3.2. Лазерная интерференция 38
2.4. Снятие параметров образцов 40
3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ 42
3.1. Выращивание гетероструктуры при использовании оптимизированного подхода для начальных этапов роста 42
3.2. Выращивание структур с барьерным слоем AlN 45
3.3 Барьерный слой InAlN 46
4. БЕЗОПАСНОСТЬ ЖИЗНЕДЕЯТЕЛЬНОСТИ 48
4.1. Общая характеристика условий проведения исследования 48
4.2 Анализ риска, связанного с эксплуатацией данной установки 48
4.3. Мероприятия по снижению риска проявления опасностей 50
4.4. Работа с данными 51
4.5. Подведение итогов 52
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 53
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ 54

Весь текст будет доступен после покупки

Показать еще текст

ВВЕДЕНИЕ

В последние годы происходит бурное развитие твердотельной высокочастотной электроники. Одной из таких бурно развивающихся областей являются нитридные полевые транзисторы на основе GaN. Данные материалы обладают рядом преимуществ, позволяющих получать приборы с превосходными характеристиками: большая ширина запрещенной зоны и возможность её широкого варьирования (от 3.4 эВ для GaN до 6,22 эВ для AlN), высокие пробивные напряжения, высокая подвижность электронов и способность к формированию гетеропереходов в (In, Al, Ga) N. С начала десятилетия HEMT гетероструктуры на AlGaN/GaN демонстрируют выдающиеся характеристики, что позволяет получить мощные СВЧ приборы на их основе.
Технология изготовления нитридных HEMT находится в стадии интенсивной разработки и оптимизации. Одной из основных проблем принято считать отсутствие недорогих согласованных по параметру решетки подложек, вследствие чего рост структур на подложках из несогласованных материалов приводит к созданию большой плотности дислокаций, что негативно сказывается на конечных характеристиках устройства, вследствие чего предполагается использовать модифицированные буферные слои, для устранения данных недостатков. Чуть менее сильное влияние на параметры нитридных транзисторов оказывает и конструкция барьерных слоев. В последние годы много статей посвящено структурам с различными барьерными слоями взамен привычным AlGaN/GaN.

Весь текст будет доступен после покупки

Показать еще текст

отрывок из работы

1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Свойства нитридов металлов третьей группы
Нитриды металлов третьей группы являются прямозонными полупроводниками и перекрывают широкий спектральный диапазон от красного до ультрафиолетового [1]. Нитриды А3В5 могут существовать в двух различных типах кристаллических структур: вюрцит (гексагональная) и сфалерит (кубическая). GaN, InN и AlN имеют преимущественно гексагональную кристаллическую решетку. При низких температурах роста (< 800 °С) на кубических подложках возможно получение кубической модификации GaN [2]. Ниже в табл. 1.1 приведены свойства нитридов металлов третьей группы с гексагональной кристаллической решеткой.
Обе кристаллические модификации нитридов металлов третьей группы имеют полярные оси ([0001] для структуры вюрцита и [111] для сфалерита), то есть у них отсутствует инверсионная симметрия в этом направлении. В структуре нитридных соединений каждая ковалентная связь между атомом металла и азота представляет собой диполь. Отсутствие инверсионной симметрии приводит к образованию ненулевого дипольного момента и к возникновению спонтанной поляризации. Поэтому в этих материалах сильно выражены поляризационные эффекты. Объемные и поверхностные свойства нитридов (Al, Ga, In) сильно зависят от полярности материала.
Поляризация Р при отсутствии внешних электрических полей будет складываться из спонтанной поляризации ненапряженной решетки (Рsp) и пьезоэлектрической поляризации (Рpz), которая вызвана механическим напряжением в материале. В часто реализуемом направлении роста нитридов (Al, Ga, In) с гексагональной структурой [0001], где спонтанная поляризация Рsp = Рsp [0001], а ее направление определяется полярностью материала [1].

Весь текст будет доступен после покупки

Показать еще текст

Список литературы

1. Ambacher O. Growth and applications of Group III-nitrides // J. Phys. D: Appl. Phys. 1998. Vol. 31. P. 2653–2710.
2. Yang J. W., Kuznia J. N., Chen Q. C., Khan M. A., George T., DeGraef M., Mahajan S., Temperature-mediated Phase Selection During Growth of GaN on (111)A and (111)B GaAs Substrates // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 67. № 25. P. 3759–3761.
3. Davydov Yu., Klochikhin A. A., Emtsev V. V., Kurdyukov D. A., Ivanov S. V., Vekshin V. A., Bechstedt F., FurthmuЁller, Aderhold J., Graul J., Mudryi A. V., Harima, Hashimoto A., Yamamoto A., Haller E. E. // Phys.stat.sol.(b). 2002. Vol. 234. № 3. P. 787–795.
4. Mohammad S. N., Morkoc H. Progress and prospects of group-III nitride semiconductors // Prog. Quant. Electr. 1996. Vol. 20. № 5/6. P. 361–525.
5. Ambacher O., Smart J., Shealy J. R., Weimann N. G., Chu K., Murphy M., W. J. Schaff, and L. F. Eastman. Group Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N- and Ga-face AlGaN/GaN heterostructures // J. Appl. Phys., 1999, V. 85, № 6. P. 2222–2233.
6. Wu Jie-Jun, Wang Kun, Yu Tong-Jun, Zhang Guo-Yi. GaN substrate and GaN homo-epitaxy for LEDs:Progress and challenges // Chin. Phys. B. 2015. Vol. 24, №6. P. 068106.
7. Mueller S. G. The progress of AlN bulk growth and epitaxy for electronic applications // Physica status solidi (a). 2009. Vol. 206. № 6. P. 1153–1159.
8. Chemekova T. Y. et al. Sublimation growth of 2 inch diameter bulk AlN crystals // Physica status solidi c. 2008. Vol. 5. № 6. P. 1612–1614.
9. Helava H. et al. AlN substrates and epitaxy results // physica status solidi c. 2010. Vol. 7. № 7–8. P. 2115–2117.
10. Jain S. C. et al. III–nitrides: Growth, characterization, and properties // Journal of Applied Physics. 2000. Vol.. 87. № 3. P. 965–1006.

Весь текст будет доступен после покупки

Показать еще текст

Купить и скачать работу

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКЦИИ БАРЬЕРНОГО СЛОЯ НА СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР С ДВУМЕРНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ГАЗОМ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ

Почему студенты выбирают наш сервис?

Работаем круглосуточно

24 часа в сутки

7 дней в неделю

Гарантия

Возврат средств в случае проблем с купленной готовой работой

Мы лидеры

LeWork является лидером по количеству опубликованных материалов для студентов

не подошла эта работа?

В нашей базе 78761 курсовых работ – поможем найти подходящую

Ответы на часто задаваемые вопросы

Как оплатить заказ?

Чтобы оплатить заказ на сайте, необходимо сначала пополнить баланс на этой странице - https://lework.net/addbalance

На странице пополнения баланса у вас будет возможность выбрать способ оплаты - банковская карта, электронный кошелек или другой способ.

После пополнения баланса на сайте, необходимо перейти на страницу заказа и завершить покупку, нажав соответствующую кнопку.

Если у вас возникли проблемы при пополнении баланса на сайте или остались вопросы по оплате заказа, напишите нам на support@lework.net. Мы обязательно вам поможем!

Есть ли услуга безопасной покупки, и какой срок гарантии?

Да, покупка готовой работы на сайте происходит через "безопасную сделку". Покупатель и Продавец финансово защищены от недобросовестных пользователей. Гарантийный срок составляет 7 дней со дня покупки готовой работы. В течение этого времени покупатель имеет право подать жалобу на странице готовой работы, если купленная работа не соответствует описанию на сайте. Рассмотрение жалобы занимает от 3 до 5 рабочих дней.

Что означает возможность снять с продажи готовую работу ?

У покупателя есть возможность снять готовую работу с продажи на сайте. Например, если необходимо скрыть страницу с работой от третьих лиц на определенный срок. Тариф можно выбрать на странице готовой работы после покупки.

Как вернуть средства за некачественную работу?

Гарантийный срок составляет 7 дней со дня покупки готовой работы. В течение этого времени покупатель имеет право подать жалобу на странице готовой работы, если купленная работа не соответствует описанию на сайте. Рассмотрение жалобы занимает от 3 до 5 рабочих дней. Если администрация сайта принимает решение о возврате денежных средств, то покупатель получает уведомление в личном кабинете и на электронную почту о возврате. Средства можно потратить на покупку другой готовой работы или вывести с сайта на банковскую карту. Вывод средств можно оформить в личном кабинете, заполнив соответствущую форму.

Как связаться со службой поддержки, если возникли вопросы?

Мы с радостью ответим на ваши вопросы по электронной почте support@lework.net